Transphorm FET 使用簡單的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)了高達(dá) 99% 的效率，驗(yàn)證了在超過 1 kW 的寬功率范圍內(nèi)具有成本效益的設(shè)計(jì)方案
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新世代電力系統(tǒng)的未來, 氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）發(fā)布了一款高性能、低成本的驅(qū)動(dòng)器解決方案。這款設(shè)計(jì)方案面向中低功率的應(yīng)用，適用于LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電竟電腦，加強(qiáng)了公司在這個(gè)30億美元電力市場客戶的價(jià)值主張。
不同于同類競爭的 e-mode GaN 解決方案需要采用定制驅(qū)動(dòng)器或柵極保護(hù)器件的電平移位電路，Transphorm 的 SuperGaN? FET由于可以與市售的驅(qū)動(dòng)器搭配使用，更易于驅(qū)動(dòng)，因此可提升客戶使用Transphorm器件的成本優(yōu)勢。本次發(fā)布的新款解決方案采用高速、非隔離式、高電壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，在不影響 GaN FET 或系統(tǒng)性能的情況下，進(jìn)一步降低了系統(tǒng)總成本。
Transphorm業(yè)務(wù)發(fā)展和市場營銷高級(jí)副總裁Philip Zuk表示：“我們的常關(guān)型氮化鎵平臺(tái)能夠與業(yè)界熟知的市售驅(qū)動(dòng)器配合使用，更適合市場應(yīng)用，也更受市場歡迎。能夠根據(jù)需要來選定驅(qū)動(dòng)器，對客戶來說是一個(gè)非常重要的優(yōu)勢?？蛻艨梢詾椴煌阅軆?yōu)勢權(quán)重的設(shè)計(jì)挑選相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)，從而更好地控制電力系統(tǒng)的成本。這對價(jià)格敏感的終端市場尤為重要。Transphorm 的GaN能夠提供更高性能，采用我們的氮化鎵器件，客戶可以根據(jù)最終結(jié)果來挑選BOM，從而以極佳的成本效益實(shí)現(xiàn)所需的性能?！?/p>
Transphorm還推薦各種其它驅(qū)動(dòng)器，這些驅(qū)動(dòng)具有高額定隔離電壓（控制至輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)）、短延遲、快速開啟/關(guān)斷、以及可編程死區(qū)時(shí)間等等優(yōu)點(diǎn)，非常適合較高功率的應(yīng)用。
電源適配器、電竟筆記本電腦充電器、LED照明、以及兩輪車和三輪車充電等中低功率應(yīng)用對價(jià)格非常敏感，這些產(chǎn)品中的電源系統(tǒng)通常不需要類似安全隔離這樣的先進(jìn)功能，使用高階的驅(qū)動(dòng)器可能導(dǎo)致BOM成本不必要升高。
性能分析
該半橋柵極驅(qū)動(dòng)器采用了 Transphorm 的 650 V、72 mΩ PQFN88 封裝器件 TP65H070LSG 進(jìn)行測試。可用于橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如諧振半橋、圖騰柱 PFC、正弦波逆變器或有源箝位反激式電路。
測試結(jié)果表明，無論是否使用散熱器或強(qiáng)制空氣進(jìn)行冷卻，該低成本的驅(qū)動(dòng)解決方案在低于/等于150kHz 的開關(guān)頻率下均運(yùn)行良好。此解決方案最終在選定的配置中實(shí)現(xiàn)了接近 99% 的效率。
獲取應(yīng)用指南
如需了解有關(guān)上述解決方案的更多詳情，請下載Transphorm應(yīng)用指南AN0014: 『面向中低功率 GaN FET 應(yīng)用的低成本、高密度、高電壓硅驅(qū)動(dòng)器（Low Cost, High Density, High VoltageSilicon Driver for Low- to Mid-Power GaN FET Applications）。
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