—采用最新一代工藝，可提供低導通電阻和擴展的安全工作區(qū)—
(資料圖片)
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的開關(guān)電路和熱插拔電路[1]等應用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
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TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導通電阻，比東芝目前100V產(chǎn)品“TPH3R70APL”低16%[2]。通過同樣的比較，TPH3R10AQM將安全工作區(qū)擴展了76%[3]，使其適合線性模式工作。而且降低導通電阻和擴大安全工作區(qū)的線性工作范圍可以減少并聯(lián)連接的數(shù)量。此外，其柵極閾值電壓范圍為2.5V至3.5V，不易因柵極電壓噪聲而發(fā)生故障。
新產(chǎn)品采用高度兼容的SOP Advance(N)封裝。
未來，東芝將繼續(xù)擴展其功率MOSFET產(chǎn)品線，通過減少損耗來提高電源效率，并幫助降低設(shè)備功耗。
? 應用
- 數(shù)據(jù)中心和通信基站等通信設(shè)備的電源
- 開關(guān)電源（高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器等）
? 特性
- 具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]低導通電阻：RDS(ON)＝3.1mΩ（最大值）（VGS＝10V）
- 寬安全工作區(qū)
- 高額定結(jié)溫：Tch（最大值）＝175℃
? 主要規(guī)格
（除非另有說明，Ta＝25℃）
