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來源：全球半導(dǎo)體觀察整理
據(jù)西電廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心消息顯示，近日，在廣東-新加坡合作理事會(huì)第十三次會(huì)議上，西安電子科技大學(xué)廣州研究院與新加坡IC Carrier Technologies Pte Ltd（以下簡稱“ICCT”）合作共建的“氮化鎵器件和集成電路先進(jìn)封裝技術(shù)研究中心”項(xiàng)目成功簽約。
據(jù)悉，該項(xiàng)目由廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心團(tuán)隊(duì)與新加坡ICCT展開合作，圍繞第三代半導(dǎo)體射頻器件、電力電子器件等產(chǎn)業(yè)需求，以大幅提升QFN、陶瓷封裝、金屬封裝等封裝技術(shù)研發(fā)能力為目標(biāo)，聚力開發(fā)滿足產(chǎn)業(yè)前沿需求的先進(jìn)封裝技術(shù)，推進(jìn)國內(nèi)領(lǐng)先性能的第三代半導(dǎo)體射頻器件、電力電子器件及其模塊的研制進(jìn)程，力爭快速實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品工程化。
公開資料顯示，第三代半導(dǎo)體氮化鎵材料具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率及更優(yōu)的抗輻照能力，使得其在功率器件、射頻器件、光電器件領(lǐng)域大有作為。隨著5G通信、消費(fèi)電子、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心等高景氣度下游逐步提出更高性能要求，有望放量提價(jià)。業(yè)界多位人士看好氮化鎵的發(fā)展前景，英飛凌認(rèn)為，未來GaN的全球使用量將會(huì)大大超過SiC，并且在多個(gè)領(lǐng)域取代SiC的應(yīng)用，尤其是到了2030年。
官方資料顯示，IC Carrier Technologies Pte Ltd （簡稱“ICCT”）由Yew Chee Kiang(楊志強(qiáng))博士于2013年成立于新加坡，是一家致力于提供半導(dǎo)體封裝材料和封裝技術(shù)服務(wù)的企業(yè)。
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